碳基芯片被认为有希望取代硅基芯片，成为新一代半导体技术而受到人们厚望和祈盼。

硅基芯片内部用碳纳米管做传导，栅极是比硅更优秀的碳材料或石墨烯。其电子迁移率、电子自由程、极限运动速度、功耗比硅材料优异的多。如能研发成为新一代半导体材料是最为理想的。

一、碳基芯片与硅基芯片制备方法不一样。

碳基芯片设计和使用主要是化学制备方法，如电弧放电法、激光烧蚀法等不同工艺。

把碳纳米管置入硅晶片上线槽内、离开了光刻技术只能设置几百个晶体管。而硅晶芯片用了光刻技术后则可设置几十亿、上百亿个晶体管。所以技术上还有待研发、成熟后才能商业量产。

碳基芯片制备时、如仅凭碳基材料自身化学特性，要成功完成将碳纳米管形成的电路图形布设在基片上、依赖碳分子或石墨烯自身活性来超越光刻技术和刻蚀技术，目前暂无可能。制程芯片节点是无法达到目前7nm、5nm水平的。

二、碳基芯片商业量产还有待时日。

不少国家都在大力研发碳基芯片，囿于现有技术和设备、无法如光刻机那样按比例将电路图投影复制到基片上。

况且碳纳米管电子迁移率是硅晶体管的1000倍、电子极限运动速度是硅晶体管10倍，自身性质活跃导电性强。在狭小的芯片范围内布设高数量级的碳纳米管，现有科技和工艺无法支持。

所以，硅基目前还是芯片的最佳材料、光刻机是关键设备。碳基芯片取代硅基芯片在技术上突破，能商业量产还有很长路要走，至少也得5年。

既然碳基片能比硅基片做得更薄，那么用两层片把晶体管夹在中间，电极间自然对接，外接头从夹缝伸出不就得了。

相信中国人不会用10年再造出碳基片，我觉得1_2年吧，我深知中国这群娃娃科学家的性格，他们不会服输，这是他们的爷爷辈给留下的基因。